Pamäť RRAM na flexibilnom plastovom substráte
5.12.2011 08:52:35 | * qitnews | Počet zobrazení: 1785x
Vedcom z Korea Advanced Institute of Science and Technology (KAIST) sa podarilo vyvinúť plno funkčnú nonvolatilnú rezistívnu pamäť s náhodným prístupom (RRAM), uloženú na flexibilnom plastovom povrchu. Vďaka použitiu novej technológie je možný náhodný prístup k pamäťovým bunkám tak pri čítaní, ako aj zápise.
Pamäť uloženú na flexibilnom povrchu sa podarilo skonštruovať viacerým vedeckým tímom už v minulosti, nepodarilo sa im však vyriešiť problém interferencie medzi susediacimi pamäťovými bunkami. Aby bolo možné prekonať túto prekážku, je nevyhnutné priamo do pamäťových buniek integrovať elementy, ako sú napríklad tranzistory zabezpečujúce prepínanie ich stavov. Nanešťastie väčšina doteraz vyrobených tranzistorov na plastovom substráte nemá dostatočné výkonnostné parametre na ovládanie pamäťových buniek. KAIST však tento problém vyriešil, keď sa mu podarilo na flexibilnom substráte integrovať do pamäťovej bunky memristor a vysokovýkonný kremíkový tranzistor. Takto vytvorený pamäťový obvod dokáže spoľahlivo vykonávať základné funkcie zápisu, čítania a mazania pamäťových buniek.
Realizácia počítačovej pamäte na flexibilnom substráte je jeden zo základných predpokladov na ďalší rozvoj flexibilnej elektroniky, ktorá v budúcnosti umožní vývoj atraktívnych elektronických zariadení, založených na použití flexibilného elektronického papiera, flexibilných displejov, alebo celých počítačov, ktoré budú môcť byť aj súčasťou oblečenia alebo iných produktov.