Nový objav umožní rekordnú hustotu až 100 biliónov tranzistorov na cm2

|

Ved­com z Ri­ce Uni­ver­si­ty a Hong Kong Po­ly­tech­nic Uni­ver­si­ty sa po­da­ri­lo náj­sť spô­sob, ako mož­no ten­ké prúž­ky gra­fé­nu ulo­žiť na substrát tvo­re­ný di­aman­tom (ale­bo nap­rík­lad aj nik­lom, kre­mí­kom a pod.) tak, že sa tie che­mic­ky via­žu k substrá­tu svo­jou hra­nou. Vzhľa­dom na to, že me­dzi substrá­tom a gra­fé­nom do­chá­dza iba k jem­né­mu kon­tak­tu, za­cho­va­né sú tak­mer všet­ky elek­tric­ké a mag­ne­tic­ké vlas­tnos­ti toh­to ma­te­riá­lu, tvo­re­né­ho jed­nou vrstvou ató­mov uh­lí­ka us­po­ria­da­ných do tva­ru pri­po­mí­na­jú­ce­ho vče­lie plás­ty.

Prúž­ky gra­fé­nu mô­žu byť k substrá­tu pri­po­je­né obid­vo­ma hra­na­mi, čím vy­tvo­ria aké­si mos­tí­ky, ale­bo iba jed­nou z nich, vďa­ka čo­mu sú us­po­ria­da­né kol­mo na pod­klad (v prí­pa­de nik­lu ako substrá­tu pod uh­lom 30˚). Keď­že sú mi­mo­riad­ne ten­ké, jed­not­li­vé prúž­ky mô­žu byť pri za­cho­va­ní po­ža­do­va­ných vlas­tnos­tí gra­fé­nu od se­ba vzdia­le­né iba 0,7 nm. Vďa­ka to­mu sa da­rí do­siah­nuť vy­so­kú hus­to­tu ich in­teg­rá­cie, kto­rá by v bu­dúc­nos­ti moh­la umož­niť ulo­že­nie až 100 bi­lió­nov gra­fé­no­vých FET (field-ef­fect tran­sis­tor) na štvor­co­vý cen­ti­me­ter pod­kla­do­vej plo­chy.

Ke­by sa po­da­ri­lo tú­to tech­no­ló­giu uviesť do praxe, bo­lo by mož­né predĺžiť plat­nosť Moo­rov­ho zá­ko­na o ďal­šiu de­ká­du a uve­de­ný ob­jav by pos­lú­žil tak pri konštruo­va­ní kla­sic­kých elek­tro­nic­kých, ako aj spin­tro­nic­kých za­ria­de­ní.